Pesquisadores chineses aumentam durabilidade de memória ferroelettrica em 100 vezes
Equipe chinesa demonstra mais de 10 bilhões de ciclos de escrita em memória wurtzite, superando barreira de confiabilidade para IA e computação de alto desempenho.
Em resumo
- Pesquisadores chineses demonstraram mais de 10 bilhões de ciclos de escrita em memória ferroelettrica wurtzite
- A durabilidade alcançada foi cerca de 100 vezes maior que a obtida anteriormente com o mesmo material
- Essa melhoria pode viabilizar o uso da memória em computadores de alto desempenho e sistemas de IA
Pesquisadores chineses desenvolveram um método que torna um tipo emergente de chip de memória muito mais durável, atingindo mais de 10 bilhões de ciclos de escrita – cerca de 100 vezes a resistência obtida antes – um passo que pode eliminar um obstáculo crítico de confiabilidade para computação de alto desempenho e futuros sistemas de IA.
O que aconteceu
A equipe testou ferroeletros wurtzite, materiais que alternam entre dois estados elétricos para armazenar dados, e registrou mais de 10 bilhões de ciclos de escrita. Segundo Xian Daily, “O resultado foi cerca de 100 vezes a durabilidade alcançada antes”. O estudo foi liderado por cientistas da Universidade Xidian, em colaboração com a City University of Hong Kong e a Universidade Fudan, e publicado na revista Science.
Materiais wurtzite como o nitreto de alumínio e escândio (AlScN) ganharam atenção por sua rápida velocidade de comutação e potencial baixo consumo de energia. Além disso, o AlScN é compatível com processos de fabricação de semicondutores já existentes, o que pode simplificar sua integração em dispositivos de memória futuros. Até então, dispositivos de AlScN falhavam após aproximadamente 100 milhões de ciclos de escrita, muito aquém dos bilhões necessários para aplicação comercial.
“O estudo foi liderado por cientistas da Universidade Xidian, em colaboração com a City University of Hong Kong e a Universidade Fudan, e publicado na revista Science.”
Por que importa
Estender a resistência para a ordem dos bilhões de ciclos aproxima a memória ferroelettrica de um uso prático em hardware de computação futuro, oferecendo armazenamento rápido e de baixo consumo que se encaixa nas linhas de produção atuais. Superar a barreira de confiabilidade pode atender à crescente demanda por semicondutores avançados impulsionada pelo boom da IA.
Perguntas frequentes
O que são ciclos de escrita em memória e por que são importantes?
Ciclos de escrita são repetições de mudança de estado elétrico para armazenar dados, e sua quantidade determina a confiabilidade da memória em computação de alto desempenho.
Qual era a durabilidade típica das memórias de AlScN antes da nova pesquisa?
Dispositivos de AlScN costumavam falhar após cerca de 100 milhões de ciclos de escrita.
Quem liderou a pesquisa que aumentou a durabilidade da memória?
A pesquisa foi liderada por cientistas da Universidade Xidian, em colaboração com a City University of Hong Kong e a Universidade Fudan.
Em números
- que torna um tipo emergente de chip de memória muito mais durável, atingindo mais de10 bilhões de ciclos
- Até então, dispositivos de AlScN falhavam após aproximadamente100 milhões de ciclos